이미지 확대보기삼성전자는 지난 6월30일 세계 최초로 3나노 양산 성공을 발표했다. 올해 하반기에나 3나노 제품 양산에 들어가는 TSMC와 기술격차를 최대 6개월 가량 벌린 셈이다. 특히 삼성전자는 3나노부터 차세대 트랜지스터 구조 기술인 GAA를 적용해 2나노 양산 전까지 기존 핀펫(FinFET) 방식을 유지하는 TSMC와 차별화를 뒀다. GAA는 전류흐름을 조절하는 스위치 역할을 하는 반도체 트랜지스터 구조를 개선, 기존 핀펫 구조보다 전력효율을 높인 기술이다. 핀펫 기반 5나노 공정 대비 성능은 23% 향상되며 전력소모는 45%, 면적은 16% 줄어든다.
삼성전자는 이번 GAA 기반 3나노 공정 파운드리 서비스 개시로 일단 경쟁사보다 한발 앞서 나가게 된 것으로 보인다.
삼성전자 파운드리사업부는 '혁신적인 기술력으로 세계 최고를 향해 나아가겠습니다'라는 포부 하에 3나노 GAA 공정 양산과 선제적인 파운드리 기술로 사업 경쟁력을 강화해 나가겠다고 전했다.
파운드리사업부 기술개발실장 정기태 부사장은 기술 개발 경과보고를 통해 개발부터 양산까지 과정을 설명했다. 파운드리사업부, 반도체연구소, 글로벌 제조 앤 인프라총괄 등 사업부를 넘어선 협업으로 기술개발 한계를 극복한 점을 강조했다.
경 사장은 "삼성전자는 이번 제품 양산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다"며 "핀펫 트랜지스터가 기술적 한계에 다다랐을 때 새로운 대안이 될 GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적인 결과"라고 말했다.
삼성전자는 3나노 GAA 공정을 고성능 컴퓨팅(HPC)에 첫 적용하고, 주요 고객들과 모바일 시스템온칩(SoC) 제품 등 다양한 제품군에 확대 적용할 계획이다. 향후 평택캠퍼스에서도 3나노 GAA 파운드리 공정 제품을 양산할 예정이다.
박성진 기자 postmoneynews@gmail.com
